| 項目 | 技術(shù)指標(biāo) | 核心價值 |
|---|---|---|
| Al?O?純度 | ≥99.99% | Si/Fe/Na/K 雜質(zhì)<10ppm,U/Th 放射性同位素<0.01ppm,無重金屬、放射性污染,適配半導(dǎo)體、鋰電、醫(yī)用材料 |
| 晶體結(jié)構(gòu) | 微細(xì)均質(zhì) α-Al?O? | 耐磨性能遠超普通氧化鋁珠,高硬度不易崩裂、掉角 |
| 真密度 | 3.6 g/cm3 | 僅為氧化鋯珠(5.9~6.0g/cm3)2/3,研磨動能溫和,杜絕物料過磨、晶體破壞 |
| 填充密度 | 2.4 g/cm3 | 同等研磨效果下填充重量僅需氧化鋯 2/3,降低設(shè)備負(fù)載、節(jié)電 20%~25% |
| 耐溫耐酸堿 | 20~150℃穩(wěn)定;耐強酸強堿 | 高溫漿料不會像氧化鋯出現(xiàn)水解、耐磨下滑,可長期水性 / 溶劑體系使用 |
| 莫氏硬度 | 7.5 | 高硬度陶瓷粉體研磨場景耐磨優(yōu)于氧化鋯珠,使用壽命數(shù)倍提升 |
TB-01:φ0.1mm
TB-02:φ0.2mm
TB-03:φ0.3mm
TB-04:φ0.4mm
TB-05:φ0.5mm


產(chǎn)品特性
市面量產(chǎn)最小粒徑高純氧化鋁微珠,單體積接觸點數(shù)量最1大化,粒度分布極窄;比重輕、研磨能量柔和,極1致解團聚,幾乎不破壞粉體原生晶體。
優(yōu)勢
納米級粉體解團聚天花板,研磨后粉體 D50 可達 50~200nm;磨損極低,無金屬雜質(zhì)引入;低填充量降低砂磨機能耗。
核心應(yīng)用
鋰電:納米硅碳負(fù)極、納米磷酸鐵鋰、CNT / 碳黑導(dǎo)電劑終段分散
電子:高純氧化鋁粉、陶瓷漿料、MLCC 陶瓷粉體超細(xì)研磨
高1端材料:牙科納米氧化鋯粉體、納米顏料、熒光粉、光刻膠分散
短板
粒徑極小,僅適合終段精細(xì)分散,粗原料破碎效率極低;設(shè)備濾網(wǎng)易堵塞,需搭配超細(xì)分離篩。
產(chǎn)品特性
兼顧超細(xì)分散與基礎(chǔ)破碎能力,平衡接觸面積與研磨沖擊力,是 TB-01 與 TB-03 的過渡型號。
優(yōu)勢
既可做納米物料終分散,也可處理初始粒徑 0.5~2μm 的團聚粉體;適配中小型臥式砂磨機、實驗室設(shè)備。
核心應(yīng)用
高1端磷酸鐵鋰、硅基負(fù)極、陶瓷墨水、鋰電池漿料二次細(xì)化、化妝品納米粉體、生物醫(yī)用粉體。
適用工況
實驗室研發(fā)小批量產(chǎn)線、對細(xì)度要求高、產(chǎn)量中等的細(xì)分材料。
產(chǎn)品特性
研磨沖擊力、分散效率、防過磨三者均衡,工業(yè)量產(chǎn)首1選尺寸,適配絕大多數(shù)主流砂磨機。
優(yōu)勢
可將原料直接磨至 D50=0.5~1μm,粗磨 + 細(xì)磨一階段完成;不易堵濾網(wǎng),設(shè)備兼容性強,綜合使用成本最1低。
核心應(yīng)用
新能源:三元 NCM/NCA、石墨負(fù)極、常規(guī)磷酸鐵鋰量產(chǎn)主線研磨
工業(yè):陶瓷色料、水性涂料、光學(xué)玻璃粉體、催化劑載體
精密制造:拋光粉、氮化鋁粉體、壓電陶瓷原料
定位
通用性最1強,絕大多數(shù)鋰電、陶瓷工廠標(biāo)準(zhǔn)采購型號。
產(chǎn)品特性
粒徑更大,撞擊動能更強,針對團聚嚴(yán)重、初始粒徑偏大的原料做前置破碎。
優(yōu)勢
破碎效率高,縮短前道研磨時間,提升整條產(chǎn)線產(chǎn)能;耐磨穩(wěn)定,適合大流量連續(xù)生產(chǎn)。
核心應(yīng)用
團聚嚴(yán)重的鋰電前驅(qū)體、粗顆粒石墨、大顆粒陶瓷原料、無機填料預(yù)破碎、工業(yè)涂料粗磨段。
搭配工藝
常作為前道粗磨,后端串聯(lián) TB-03/TB-02 做精細(xì)細(xì)化。
產(chǎn)品特性
TB 系列最大粒徑,沖擊力最1強,快速打散大塊團聚、微米級粗原料。
優(yōu)勢
單次破碎量大,大幅降低后端細(xì)磨介質(zhì)負(fù)荷,延長細(xì)磨珠使用壽命。
核心應(yīng)用
塊狀前驅(qū)體、結(jié)塊磷酸鐵鋰、粗氧化鋁 / 氮化鋁粉體、重質(zhì)無機填料、耐火材料粉體預(yù)研磨。
工藝定位
僅用于第一道粗碎工序,不可單獨用于成品納米級分散,否則成品粒徑偏粗、團聚殘留。
研磨沖擊力:TB-05>TB-04>TB-03>TB-02>TB-01
粒徑越大,撞擊動能越強,破碎粗物料效率越高;粒徑越小,剪切分散能力越強,解團聚效果越好。
防過磨能力:TB-01>TB-02>TB-03>TB-04>TB-05
密度統(tǒng)一前提下,小球動能更溫和,避免粉體晶體碎裂、電池循環(huán)衰減。
接觸面積 / 分散效果:TB-01>TB-02>TB-03>TB-04>TB-05
粒徑越小,同等體積下介質(zhì)數(shù)量越多,剪切分散納米粉體能力越強。
量產(chǎn)適配性:TB-03 最1優(yōu),TB-04/TB-05 適合粗磨,TB-01/TB-02 適合高1端精細(xì)產(chǎn)線
雜質(zhì)污染控制:TB 僅氧化鋁磨損,無 Zr/Y 金屬雜質(zhì);氧化鋯磨損會引入鋯、釔,破壞鋰電、半導(dǎo)體材料性能。
物料保護:密度低 2/3,大幅減少晶體過粉碎,電池材料循環(huán)壽命提升 10%~15%。
高溫穩(wěn)定性:80~150℃漿料長期使用耐磨不衰減;氧化鋯熱水易水解、快速損耗。
能耗成本:填充量減少 1/3,電機負(fù)載下降,長期生產(chǎn)電費優(yōu)勢明顯。
硬度低于氧化鋯,超硬硬質(zhì)合金、碳化硅超粗研磨場景效率不如氧化鋯;
單價高于普通國產(chǎn)氧化鋁珠、標(biāo)準(zhǔn)氧化鋯珠,初期采購成本更高;
TB-01 超細(xì)珠對砂磨機分離濾網(wǎng)精度要求高,設(shè)備配套門檻更高。
高1端納米鋰電(硅碳 / 納米 LFP)
兩段工藝:TB-05 粗碎 → TB-01 終分散,極1致細(xì)度、保護晶體結(jié)構(gòu)。
常規(guī)三元 / 石墨量產(chǎn)線
單段 TB-03,一步達標(biāo)量產(chǎn)粒度,綜合性價比最1高。
實驗室研發(fā)、小批量高1端粉體
TB-02 通用,兼顧細(xì)度與破碎能力,一臺設(shè)備適配多種樣品。
陶瓷、牙科、熒光粉高純材料
TB-01/TB-02,杜絕雜質(zhì)、低放射性,滿足醫(yī)用 / 電子高純標(biāo)準(zhǔn)。
大產(chǎn)能原料預(yù)處理車間
TB-04/TB-05 前置粗磨,后端搭配 TB-03 精磨,提升整條產(chǎn)線產(chǎn)能。
純度壁壘:99.99% 高純 + 極低放射性雜質(zhì),是半導(dǎo)體、鋰電、醫(yī)用材料不可替代的研磨介質(zhì);
材質(zhì)工藝:均質(zhì)微細(xì) α 氧化鋁燒結(jié),耐磨壽命遠超普通國產(chǎn)氧化鋁珠;
輕量化研磨體系:低密度設(shè)計解決行業(yè)長期痛點 —— 過磨、高能耗、重金屬污染;
完整粒徑覆蓋:0.1~0.5mm 全覆蓋,覆蓋從粗破碎到納米終分散全工藝鏈路,可成套搭配使用。