| 項目 | 技術指標 | 核心價值 |
|---|---|---|
| Al?O?純度 | ≥99.99% | Si/Fe/Na/K 雜質<10ppm,U/Th 放射性同位素<0.01ppm,無重金屬、放射性污染,適配半導體、鋰電、醫用材料 |
| 晶體結構 | 微細均質 α-Al?O? | 耐磨性能遠超普通氧化鋁珠,高硬度不易崩裂、掉角 |
| 真密度 | 3.6 g/cm3 | 僅為氧化鋯珠(5.9~6.0g/cm3)2/3,研磨動能溫和,杜絕物料過磨、晶體破壞 |
| 填充密度 | 2.4 g/cm3 | 同等研磨效果下填充重量僅需氧化鋯 2/3,降低設備負載、節電 20%~25% |
| 耐溫耐酸堿 | 20~150℃穩定;耐強酸強堿 | 高溫漿料不會像氧化鋯出現水解、耐磨下滑,可長期水性 / 溶劑體系使用 |
| 莫氏硬度 | 7.5 | 高硬度陶瓷粉體研磨場景耐磨優于氧化鋯珠,使用壽命數倍提升 |
TB-01:φ0.1mm
TB-02:φ0.2mm
TB-03:φ0.3mm
TB-04:φ0.4mm
TB-05:φ0.5mm


產品特性
市面量產最小粒徑高純氧化鋁微珠,單體積接觸點數量最1大化,粒度分布極窄;比重輕、研磨能量柔和,極1致解團聚,幾乎不破壞粉體原生晶體。
優勢
納米級粉體解團聚天花板,研磨后粉體 D50 可達 50~200nm;磨損極低,無金屬雜質引入;低填充量降低砂磨機能耗。
核心應用
鋰電:納米硅碳負極、納米磷酸鐵鋰、CNT / 碳黑導電劑終段分散
電子:高純氧化鋁粉、陶瓷漿料、MLCC 陶瓷粉體超細研磨
高1端材料:牙科納米氧化鋯粉體、納米顏料、熒光粉、光刻膠分散
短板
粒徑極小,僅適合終段精細分散,粗原料破碎效率極低;設備濾網易堵塞,需搭配超細分離篩。
產品特性
兼顧超細分散與基礎破碎能力,平衡接觸面積與研磨沖擊力,是 TB-01 與 TB-03 的過渡型號。
優勢
既可做納米物料終分散,也可處理初始粒徑 0.5~2μm 的團聚粉體;適配中小型臥式砂磨機、實驗室設備。
核心應用
高1端磷酸鐵鋰、硅基負極、陶瓷墨水、鋰電池漿料二次細化、化妝品納米粉體、生物醫用粉體。
適用工況
實驗室研發小批量產線、對細度要求高、產量中等的細分材料。
產品特性
研磨沖擊力、分散效率、防過磨三者均衡,工業量產首1選尺寸,適配絕大多數主流砂磨機。
優勢
可將原料直接磨至 D50=0.5~1μm,粗磨 + 細磨一階段完成;不易堵濾網,設備兼容性強,綜合使用成本最1低。
核心應用
新能源:三元 NCM/NCA、石墨負極、常規磷酸鐵鋰量產主線研磨
工業:陶瓷色料、水性涂料、光學玻璃粉體、催化劑載體
精密制造:拋光粉、氮化鋁粉體、壓電陶瓷原料
定位
通用性最1強,絕大多數鋰電、陶瓷工廠標準采購型號。
產品特性
粒徑更大,撞擊動能更強,針對團聚嚴重、初始粒徑偏大的原料做前置破碎。
優勢
破碎效率高,縮短前道研磨時間,提升整條產線產能;耐磨穩定,適合大流量連續生產。
核心應用
團聚嚴重的鋰電前驅體、粗顆粒石墨、大顆粒陶瓷原料、無機填料預破碎、工業涂料粗磨段。
搭配工藝
常作為前道粗磨,后端串聯 TB-03/TB-02 做精細細化。
產品特性
TB 系列最大粒徑,沖擊力最1強,快速打散大塊團聚、微米級粗原料。
優勢
單次破碎量大,大幅降低后端細磨介質負荷,延長細磨珠使用壽命。
核心應用
塊狀前驅體、結塊磷酸鐵鋰、粗氧化鋁 / 氮化鋁粉體、重質無機填料、耐火材料粉體預研磨。
工藝定位
僅用于第一道粗碎工序,不可單獨用于成品納米級分散,否則成品粒徑偏粗、團聚殘留。
研磨沖擊力:TB-05>TB-04>TB-03>TB-02>TB-01
粒徑越大,撞擊動能越強,破碎粗物料效率越高;粒徑越小,剪切分散能力越強,解團聚效果越好。
防過磨能力:TB-01>TB-02>TB-03>TB-04>TB-05
密度統一前提下,小球動能更溫和,避免粉體晶體碎裂、電池循環衰減。
接觸面積 / 分散效果:TB-01>TB-02>TB-03>TB-04>TB-05
粒徑越小,同等體積下介質數量越多,剪切分散納米粉體能力越強。
量產適配性:TB-03 最1優,TB-04/TB-05 適合粗磨,TB-01/TB-02 適合高1端精細產線
雜質污染控制:TB 僅氧化鋁磨損,無 Zr/Y 金屬雜質;氧化鋯磨損會引入鋯、釔,破壞鋰電、半導體材料性能。
物料保護:密度低 2/3,大幅減少晶體過粉碎,電池材料循環壽命提升 10%~15%。
高溫穩定性:80~150℃漿料長期使用耐磨不衰減;氧化鋯熱水易水解、快速損耗。
能耗成本:填充量減少 1/3,電機負載下降,長期生產電費優勢明顯。
硬度低于氧化鋯,超硬硬質合金、碳化硅超粗研磨場景效率不如氧化鋯;
單價高于普通國產氧化鋁珠、標準氧化鋯珠,初期采購成本更高;
TB-01 超細珠對砂磨機分離濾網精度要求高,設備配套門檻更高。
高1端納米鋰電(硅碳 / 納米 LFP)
兩段工藝:TB-05 粗碎 → TB-01 終分散,極1致細度、保護晶體結構。
常規三元 / 石墨量產線
單段 TB-03,一步達標量產粒度,綜合性價比最1高。
實驗室研發、小批量高1端粉體
TB-02 通用,兼顧細度與破碎能力,一臺設備適配多種樣品。
陶瓷、牙科、熒光粉高純材料
TB-01/TB-02,杜絕雜質、低放射性,滿足醫用 / 電子高純標準。
大產能原料預處理車間
TB-04/TB-05 前置粗磨,后端搭配 TB-03 精磨,提升整條產線產能。
純度壁壘:99.99% 高純 + 極低放射性雜質,是半導體、鋰電、醫用材料不可替代的研磨介質;
材質工藝:均質微細 α 氧化鋁燒結,耐磨壽命遠超普通國產氧化鋁珠;
輕量化研磨體系:低密度設計解決行業長期痛點 —— 過磨、高能耗、重金屬污染;
完整粒徑覆蓋:0.1~0.5mm 全覆蓋,覆蓋從粗破碎到納米終分散全工藝鏈路,可成套搭配使用。