隨著半導體制程持續升級，晶圓表面亞微米顆粒、蝕刻殘留物、有機污染物管控標準不斷提升。傳統單流體噴淋清洗存在沖擊力難以平衡：壓力過低去污能力不足，壓力偏高極易損傷晶圓微結構；常規微量二流體噴嘴流量偏小，無法適配量產線大流量 DIW 超純水清洗工況。日本 ATOMAX BN200-OST 外混合二流體噴嘴精準匹配晶圓量產清洗工藝參數，兼顧大流量供給、均勻柔性霧化與長期連續運行穩定性，為晶圓預清洗、蝕刻后清洗、研磨后漂洗、封測基板清洗提供可靠解決方案。
精準匹配晶圓清洗工況參數
針對晶圓清洗標準工藝需求，BN200-OST 完1美適配既定工藝窗口：
? 水路條件：穩定液體流量 6~22 L/min，完1美覆蓋目標 15 L/min 工作流量；適配供水壓力 0.2~0.5 MPa；標配 G1/2（4 分）螺紋接口，可直接對接產線管路，無需額外轉接配件。
? 氣路條件：壓縮空氣消耗量 28~55 L/min，目標 40 L/min 處于最1優工作區間；支持氣壓 0.4~0.8 MPa 寬范圍調節，可靈活調整霧滴動能。
? 推薦標準工作點：水壓 0.3 MPa、氣壓 0.6 MPa，實現 15 L/min 液流量、40 L/min 耗氣量穩定輸出，氣液配比均衡，霧化一致性高。 核心技術優勢，直擊晶圓清洗行業痛點
1. 外混合渦流霧化，柔性高效去污、無損晶圓圖案
采用 ATOMAX 專1利外混合結構，氣、液在噴嘴外部完成剪切霧化，形成 8~12μm 均勻超細霧滴。依靠微液滴沖擊 + 空化效應剝離表面污染物，高效清除 0.1μm 以上顆粒雜質；區別于高壓直噴，霧滴沖擊力可控，避免 FinFET、3D NAND 等高深寬比精密結構產生崩邊、劃傷，保障晶圓良率。
2. 直通大流道設計，抗堵塞，適合長期量產
液體通路無狹小彎道、無內置微孔，大幅降低雜質滯留堵塞風險。使用超純水、稀釋清洗藥液持續噴淋工況下，減少停機拆解清潔頻次，提升濕法清洗設備稼動率；同時規避噴嘴堵塞帶來的噴霧偏斜、局部清洗不良等工藝缺陷。
3. 材質可選，適配半導體潔凈制程
標準配置SUS316L 電解拋光版本，金屬離子析出低，適配 DIW 超純水中性清洗場景；針對 HF、酸堿藥液清洗工況，可選 PTFE 內襯、氧化鋁陶瓷接觸面版本，耐化學腐蝕，滿足半導體高潔凈等級要求。
4. 結構精簡，維護便捷
噴嘴主體零部件少，無易損耗密封組件，拆裝簡單，方便潔凈車間在線維護；噴霧形態穩定，長期連續工作霧化粒徑、流量波動小，減少工藝參數反復校準。
5. 杜絕液體倒灌風險
外混合固有特性，配合規范氣路控制，嚴格遵循氣壓≥水壓工藝規范，有效防止清洗液體倒灌進入氣源管路，保護產線供氣系統。
典型應用場景
硅片、碳化硅晶圓濕法清洗、研磨后漂洗、蝕刻后殘渣清洗、晶圓邊緣清洗、半導體基板噴淋清洗、先進封裝基板預清洗。
選型補充建議
若產線流量上限控制更加保守，可備選 ATOMAX BN160-OST；常規 15L/min 標準清洗工況，優先選用BN200-OST。
完整型號參考：BN200-OST SUS316L（潔凈電解拋光） 結語
半導體晶圓清洗是管控芯片良率的核心工序，噴嘴霧化穩定性直接決定清洗效果。ATOMAX BN200-OST 大流量二流體噴嘴，實現大流量供水與精密霧化兼顧，完1美適配量產晶圓清洗設備參數標準。穩定可控的噴霧性能、優秀抗堵能力、靈活材質方案，助力半導體廠商搭建穩定、高效、低缺陷的濕法清洗工藝。如需樣件測試、原廠技術資料（TDS 規格書）、噴霧效果模擬方案，可隨時咨詢。
